传统封装材料
一、金属封装材料
金属封装材料是最早发展起来的封装材料，其具有较高的热导率和力学强度，加工性能较好，并且对电磁有一定的屏蔽作用。传统的金属封装材料主要包括 Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ以及 Ｋｏｖａｒ合金（Ｆｅ－Ｃｏ－Ｎｉ合金）、Ｉｎｖａｒ合金（Ｆｅ－Ｎｉ合金）。Ｃｕ和 Ａｌ有较高的热导率，散热性能优良，但其热膨胀系数较高，较难与硅片匹配，芯片在工作时产生的热循环将造成较大的应力，并且 Ｃｕ的密度较高。Ｋｏｖａｒ合金和Ｉｎｖａｒ合金的热膨胀系数与硅片能够较好匹配，但热导率较低，在高度集成的封装器件中，其较低的散热性能将严重影响芯片的工作性能，并且与 Ａｌ相比材料的密度相比 Ａｌ较高，刚度较差。Ｗ、Ｍｏ的导热性能相比 Ｋｏｖａｒ合金与Ｉｎｖａｒ合金有较大的提高，且热膨胀系数较低，但其与硅片的润湿性差，在实际使用过程中需在其表面涂覆 Ａｇ或 Ｎｉ，增加了工艺的复杂性与成本，并且 Ｗ、Ｍｏ的密度较大，因此在航天航空领域的使用受到限制。
二、陶瓷封装材料
陶瓷封装材料主要用于电子封装基片材料，其介电常数较低，高频性能较好；强度较高，化学稳定性较好；热导率较高且热膨胀系数较低；气密性能优良，耐湿性好。目前使用较为广泛的陶瓷封装材料是 Ａｌ２Ｏ３，占整个陶瓷封装材料的９０％，其余陶瓷封装材料主要包括 ＡｌＮ、ＢｅＯ、ＢＮ、ＳｉＣ等。Ａｌ２Ｏ３ 陶瓷基片材料的加工技术较为成熟，应用也最为广泛，有着较好的综合性能且价格低廉。但 Ａｌ２Ｏ３ 陶瓷基片材料的热导率相对较低，且热膨胀系数与硅片存在一定的差异，因此在大型集成电路中的使用受到限制。在实际制备过程中，需尽可能提高 Ａｌ２Ｏ３ 的含量，提高粉体的烧结致密度，以使综合性能得到提升，但这也会导致烧结温度升高，增加了成本。ＡｌＮ 陶瓷基片材料有着较好的综合性能，同时相比Ａｌ２Ｏ３ 有着较高的热导率，热膨胀系数能够与硅片较好匹配，因此成为国内外研究的重点，但 ＡｌＮ 陶瓷基片材料对纯度和烧结致密度的要求较高，材料的制备工艺难度和成本都较高，批量化生产难度较大。ＢｅＯ 陶瓷有着与金属材料相近的热导率，适用于高功率集成电路基片材料，但其烧结温度较高，使得材料的制备成本大大提高，同时 ＢｅＯ 存在一定的毒性，因此大规模的使用受到限制。综上所述，陶瓷基片材料在综合性能上较为优异，可用于高可靠、高频、耐高温、强气密性的封装领域，但同时也存在一定的缺陷，整体成本较高，目前一般用于航空航天领域。
三、塑料封装材料
塑料封装材料是封装材料中的后起之秀，具有成本低，工艺简单，绝缘性好，易于实现电子产品小型化、轻量化等优点，目前已占到整个封装材料领域的９０％。塑料封装材料主要是热固性聚合物材料，包括环氧类、酚醛类、聚酯类以及有机硅类聚合物材料，其中环氧树脂的应用最为广泛。但是塑料封装材料存在气密性较差、对湿度较为敏感等缺陷，因此采用塑料封装的芯片在存放方面需要特别注意，在回流焊接前还需对其进行较长时间的烘烤，若材料吸水后直接进行回流焊接，则塑封料吸收的水分受热膨胀，容易引起芯片的爆裂；同时水气还会影响材料的热力学性能，在高温下降低材料的弹性模量与强度；此外水气还会导致封装内部金属层的腐蚀破坏，大大降低封装的可靠性。因此塑料封装材料无法适应恶劣的环境，只能用于对可靠性要求不高的民用领域。