目前，国内外已经在电子封装材料的生产和研究上达到了比较高的水平。
第一代电子封装材料主要以Kovar 合 金 ( Ni-Fe ) 为 代 表， 其 热 导 率 可 达 11 ～ 17W / ( m·K) ，热膨胀系数为 4. 2 × 10－6/ K ( 25 ～ 150 ℃ ) ，密度为 8. 1 g/cm3。
第二代封装材料主要以 WCu/Mo Cu 合金为代表，材料的导热性能显著增加，热导率可达 160～200 W / ( m·K) ，但是其热膨胀系数增大到 6. 5 × 10－6～8. 3 × 10－6/ K ( 25 ～ 150 ℃ ) ， 密 度 增 加 更 多， 为10 ～ 17 g / cm3。
这两代封装材料的制备与应用技术已非常成熟，并已经实现了工业化生产。
Si Cp/ Al 复合材料作为第三代封装材料的主要代表，其热导率和热膨胀系数与第二代相当，但密度显著降低至 2. 8 ～ 3 g /cm3。国内进行该类材料研究的科研院所非常多，研发的材料性能已经达到国外先进水平。
热导率更高的第四代封装材料的代表为金刚石 /Cu 复合材料，目前国内外均处在研发的初级阶段。
从以上发展过程可以看出，WCu /Mo Cu 合金未来的发展面临极大的挑战，既有可能持续应用于封装领域，也有可能在与其它材料的竞争中被淘汰。
为此，在现有技术的基础上，开展进一步研究提高 WCu /Mo Cu合金的性能，保持其作为封装材料价值优势的工作已迫在眉睫。